国产替代新进展：MIR100近红外显微镜在多层石墨烯堆垛研究中的技术验证与应用

2026-04-07

​在凝聚态物理与二维材料研究领域，多层石墨烯的堆垛顺序（如ABA、ABC堆垛）及其层间耦合效应，直接决定了材料的电子能带结构与量子输运特性。对这一微观结构的精准表征，长期以来依赖进口近红外显微镜。2026年1月，苏州卡斯图电子有限公司自主研发的MIR100近红外显微镜正式交付天津大学凝聚态物理专业实验室，并在多层石墨烯...

近红外显微镜MIR50 光模块共晶贴片精准在线检测与可靠性保障

2026-04-07

在光通讯模块的共晶贴片（Eutectic Die Bonding）工艺后，使用近红外（NIR）显微镜进行在线检测，是解决“硅基材料不透明”痛点、确保激光器（DFB/EML）与探测器高可靠性的关键环节。对于400G/800G/1.6T光模块及CPO（共封装光学）制造而言，这是实现工艺闭环、从源头管控焊料空洞（Solder...

透射近红外显微镜在半导体行业的应用

2025-10-31

透射式近红外显微技术（以苏州卡斯图MIR800设备为例）在半导体行业中，作为一种重要的材料内部结构分析手段，其价值在于能够对半导体材料及器件进行非破坏性的内部状态观察。MIR800的核心能力，体现在其利用近红外光良好的穿透性，实现对不透明或半透明材料内部结构的可视化成像。

面向1.6T光模块制造的共晶质量观察方案： 卡斯图MIR100近红外显微镜的应用

2025-10-20

在1.6T光模块的技术发展中，共封装光学（CPO）与硅光集成是重要的技术路径。其内部激光器、调制器等核心芯片需要通过共晶贴片工艺实现高标准的集成。该焊接界面的质量，对模块的整体性能与工作稳定性存在影响。苏州卡斯图的MIR100近红外显微镜，为观察与分析该界面状态，提供了一种共晶后缺陷检测的观察方案。

高速率光模块共晶贴片后红外检查

2025-10-20

在400G、800G及未来1.6T光模块的制造中，共晶贴片工艺的质量是影响产品性能与长期稳定性的关键因素。共晶界面存在的空洞、裂纹等潜在缺陷，会直接影响散热效率、信号质量和机械牢固度。由于该界面被不透明的芯片完全遮盖，传统光学显微镜无法观察，而X-Ray又因对比度不足难以清晰成像，因此，共晶红外检测 成为一种被行业广泛...

苏州卡斯图MIR100近红外显微镜如何揭示石墨烯的隐藏结构

2025-10-13

在石墨烯研究与产业化进程中，准确识别其层数、堆垛顺序和微观应变是调控电学、光学性能的关键。然而，传统可见光显微镜受限于物理原理的瓶颈，难以实现对这些关键参数的无损、快速检测。苏州卡斯图MIR100近红外显微镜通过IR成像机制，突破了可见光的局限，为石墨烯行业提供了新的解决方案。

MIR100近红外成像区别多层石墨烯堆垛

2025-10-13

堆垛构型是二维层状材料中一个奇特的结构自由度，在对称性破缺以及多种新奇的电学、光学、磁学和拓扑现象中发挥着关键作用。近年来，三层石墨烯受到研发人员的广泛关注。通常，三层石墨烯可呈现两种不同的堆垛几何构型：菱面体（ABC）堆垛和伯纳尔（ABA）堆垛。其中，ABC堆垛表现为原子层沿同一方向逐层偏移，其低能带色散明显区别于A...

苏州卡斯图MIR800近红外显微镜在MEMS键合检测中的应用

2025-08-21

苏州卡斯图MIR800系列近红外显微镜（NIRM）是专为MEMS键合工艺研发的检测设备，采用双波长近红外成像技术（1050nm/1200nm），为半导体行业提供可靠的键合质量评估方案。

近红外显微镜在广义缺陷检测与结构观测中的工作原理详解

2025-08-21

近红外显微镜作为一种非破坏性检测工具，其能力源于近红外光（波长780-2500nm）特别的物理性质：一定的穿透深度、对特定官能团的响应性以及与微观结构的相互作用。它通过探测光在传播过程中发生的吸收、散射、反射等物理效应的变化，来揭示材料内部的结构异常、成分不均或潜在缺陷。

基于MIR100红外反射模式的905nm车载激光雷达 VCSEL氧化孔径测量方案

2025-08-21

在红外反射模式下，MIR100的照明光（波长范围覆盖905nm）照射到VCSEL芯片表面。由于氧化层（如Al₂O₃）与其周围的半导体材料（如AlGaAs）具有不同的折射率和消光系数，它们对近红外光的反射能力存在明显差异。这种差异会在显微图像中形成明暗对比，从而清晰地显示出VCSEL氧化孔径的轮廓和形貌。

铟镓砷（InGaAs）相机量子效率（QE）解析 及其在VCSEL氧化孔径检测中的应用价值

2025-07-17

1. 量子效率（QE）的技术含义与检测意义量子效率（QE）是评估光电探测器光电转换效能的关键指标，其计算公式为：QE(λ) = （可检测光电子数/入射光子数）×100%针对工作波段覆盖900-1700nm的InGaAs相机，较高的QE值意味着设备在红外光谱范围内具备更突出的光电转换能力，有助于提升成像系统的信噪比表现。

VCSEL常用波段检测与氧化孔径测量解决方案 （结合苏州卡斯图MIR100近红外显微镜）

2025-07-17

​在VCSEL（垂直腔面发射激光器）的研发与生产中，氧化孔径的测量对器件的光束质量、功率效率和可靠性具有重要影响。不同波段的VCSEL对氧化层形貌存在特定要求，苏州卡斯图MIR100近红外显微镜凭借其成像分辨率和多波段适配能力，成为行业常用的检测设备。以下将分析各波段VCSEL的特点及对应的氧化孔径检测方案。